Görsel mevcut değil
STGD7NB60ST4
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- IGBT 600V 15A 55W DPAK
STGD7NB60ST4 Hakkında
STGD7NB60ST4, STMicroelectronics tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 600V breakdown voltajı ve 15A nominal collector akımı ile güç elektronik uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 55W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahip bu transistör, DPAK (TO-252-3) yüzey montaj paketi ile sunulmaktadır. 700ns açılış/kapanış geçiş süreleri ve 33nC gate charge karakteristiği ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. Motor kontrolü, DC-DC konvertörler, güç kaynakları ve indüktif yüklerin anahtarlanmasında yaygın olarak uygulanır. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
15 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Gate Charge
33 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
55 W
Supplier Device Package
DPAK
Switching Energy
3.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
700ns/-
Test Condition
480V, 7A, 1kOhm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.6V @ 15V, 7A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V