Görsel mevcut değil
STGD7NB120S-1
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- IPAK
- Açıklama
- IGBT 1200V 10A 55W IPAK
STGD7NB120S-1 Hakkında
STGD7NB120S-1, STMicroelectronics tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 10A collector akımı, 55W maksimum güç derecelendirmesi ve 1200V collector-emitter breakddown voltajı ile tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu komponent, 2.1V Vce(on) değeri ile verimli anahtarlama işlemi gerçekleştirir. 29nC gate charge ve 570ns açılış gecikme süresi (Td on), hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 15mJ kapalı durumda geçiş enerjisi ile enerji tüketimi optimize edilmiştir. Güç dönüştürme devreleri, motor kontrol uygulamaları, UPS sistemleri ve endüstriyel sürücü uygulamalarında tercih edilir. Cihaz şu anda üretim dışı (obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
20 A
Gate Charge
29 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
55 W
Supplier Device Package
TO-251 (IPAK)
Switching Energy
15mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
570ns/-
Test Condition
960V, 7A, 1kOhm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 7A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V