Görsel mevcut değil
STGD6NC60HDT4
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- IGBT 600V 15A 56W DPAK
STGD6NC60HDT4 Hakkında
STGD6NC60HDT4, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V Collector-Emitter breakdown voltajına sahip bir IGBT transistördür. 15A maksimum collector akımı ve 56W maksimum güç yönetim kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-252 DPAK paketinde sunulan bu bileşen, geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) çalışabilmektedir. 2.5V maksimum Vce(on) değeri ve 13.6nC gate charge özellikleriyle, düşük enerji kaybı sağlayan kontrollü anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 20µJ açılış ve 68µJ kapanış enerji tüketimi ile karakterize edilen bu transistör, endüstriyel motor kontrol, enerji dönüştürme sistemleri ve güç yönetim uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Surface mount montaj özelliğiyle otomatik üretim süreçlerine uyumludur.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
15 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
21 A
Gate Charge
13.6 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
56 W
Reverse Recovery Time (trr)
21 ns
Supplier Device Package
DPAK
Switching Energy
20µJ (on), 68µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
12ns/76ns
Test Condition
390V, 3A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V