Görsel mevcut değil
STGD6M65DF2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
STGD6M65DF2 Hakkında
STGD6M65DF2, STMicroelectronics tarafından üretilen Trench Gate Field-Stop tipi IGBT transistördür. Maksimum 12A sürekli kollektör akımı ve 24A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 650V kollektör-emitir kırılma gerilimi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 15ns açılış ve 90ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. 21.2nC gate charge değeri ile verimli sürücü tasarımı sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montajlı pakajda sunulan bu IGBT, -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Anahtarlamalı güç kaynakları, DC/DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve indüktif yükleri anahtarlayan devrelerde uygulanır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
12 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
24 A
Gate Charge
21.2 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
88 W
Reverse Recovery Time (trr)
140 ns
Supplier Device Package
DPAK
Switching Energy
36µJ (on), 200µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
15ns/90ns
Test Condition
400V, 6A, 22Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V