Görsel mevcut değil
STGD5NB120SZ-1
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- IPAK
- Açıklama
- IGBT 1200V 10A 75W IPAK
STGD5NB120SZ-1 Hakkında
STGD5NB120SZ-1, STMicroelectronics tarafından üretilen 1200V Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bileşenidir. 10A collector akımı ve 75W maksimum güç yeteneğiyle tasarlanmıştır. TO-251 (IPAK) kılıfında sunulan bu IGBT, yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Hızlı anahtarlama özellikleri (690ns açılış, 12.1µs kapanış süresi) ile endüstriyel motor kontrol, kaynak makineleri, UPS sistemleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 2V Vce(on) değeri ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Ürün kullanımdan kaldırılmış (obsolete) olup, alternatifleri mevcuttur.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
10 A
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
75 W
Supplier Device Package
TO-251 (IPAK)
Switching Energy
2.59mJ (on), 9mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
690ns/12.1µs
Test Condition
960V, 5A, 1kOhm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V