Görsel mevcut değil
STGD5H60DF
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
STGD5H60DF Hakkında
STGD5H60DF, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V Trench Gate Field-Stop tipi IGBT transistörüdür. Maksimum 10A sürekli kollektör akımı ve 20A darbe akımı kapasitesine sahiptir. TO-252 (DPak) yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 83W güç dağıtımı gerçekleştirebilir. Vce(on) değeri 15V gate gerilimi ve 5A akımda 1.95V olarak belirtilmiştir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olan transistör, hızlı anahtarlama karakteristiğiyle (Td on/off: 30ns/140ns) endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Gate charge 43nC ve switching energy değerleriyle güç elektronik devreleri, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
20 A
Gate Charge
43 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
83 W
Reverse Recovery Time (trr)
134.5 ns
Supplier Device Package
DPAK
Switching Energy
56µJ (on), 78.5µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
30ns/140ns
Test Condition
400V, 5A, 47Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.95V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V