Görsel mevcut değil
STGD4M65DF2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
STGD4M65DF2 Hakkında
STGD4M65DF2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Gate Field-Stop IGBT transistörüdür. TO-252 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 8A kollektör akımı ve 16A pulslu akım kapasitesine sahiptir. Düşük geçiş enerji değerleri (on: 40µJ, off: 136µJ) ve hızlı açılma/kapanma zamanları (12ns/86ns) ile enerji verimliliğine katkı sağlar. 133ns ters iyileştirme zamanı ve 15.2nC gate charge değerleriyle güçlü anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, enerji dönüştürücü uygulamaları ve indüktif yükler için tasarlanmıştır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
16 A
Gate Charge
15.2 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
68 W
Reverse Recovery Time (trr)
133 ns
Supplier Device Package
DPAK
Switching Energy
40µJ (on), 136µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
12ns/86ns
Test Condition
400V, 4A, 47Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V