Görsel mevcut değil
STGD3NB60SDT4
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- IGBT 600V 6A 48W DPAK
STGD3NB60SDT4 Hakkında
STMicroelectronics tarafından üretilen STGD3NB60SDT4, 600V breakdown voltajına sahip tekil IGBT transistörüdür. 6A collector akımı ve 48W maksimum güç yeteneğiyle orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-252 DPAK paketinde sunulan bu bileşen, Vce(on) değeri 1.5V (15V gate voltajında, 3A akımda) ile düşük iletim kaybı sağlar. 1.7µs reverse recovery time ve 18nC gate charge özellikleriyle hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Maksimum junction sıcaklığı 175°C olan bu IGBT, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, UPS sistemleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilmektedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
25 A
Gate Charge
18 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
48 W
Reverse Recovery Time (trr)
1.7 µs
Supplier Device Package
DPAK
Switching Energy
1.15mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
125µs/-
Test Condition
480V, 3A, 1kOhm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.5V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V