2.000₺ ve üzeri siparişlerinizde kargo ücretsizdir.
STGD3NB60SD-1 Görsel mevcut değil

Görsel mevcut değil

STGD3NB60SD-1

Kılıf / Paket
TO-252-3
Açıklama
IGBT 600V 6A 48W DPAK

STGD3NB60SD-1 Hakkında

STGD3NB60SD-1, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V IGBT transistörüdür. Maksimum 6A DC collector akımı ve 25A pulsed akım kapasitesi ile endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 48W maksimum power dissipation ile motor kontrol, inverter devreleri ve dc-dc dönüştürücülerde yer alır. DPAK (TO-252) yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, 1.5V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 175°C maksimum işletme sıcaklığında güvenli çalışır. Gate charge değeri 18nC ve hızlı switching karakteristiği (Td on: 125µs, Td off: 3.4µs) ile enerji verimliliği destekler. Reverse recovery time 1.7µs olarak belirtilmiştir. Bileşen obsolete statüsündedir.

Ürün Özellikleri

16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max) 6 A
Current - Collector Pulsed (Icm) 25 A
Gate Charge 18 nC
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power - Max 48 W
Reverse Recovery Time (trr) 1.7 µs
Supplier Device Package DPAK
Switching Energy 1.1mJ (on), 1.15mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C 125µs/3.4µs
Test Condition 480V, 3A, 1kOhm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V