Görsel mevcut değil
STGD3NB60HDT4
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- IGBT 600V 10A 50W DPAK
STGD3NB60HDT4 Hakkında
STGD3NB60HDT4, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V kırılma gerilimi ile tasarlanmış bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 10A maksimum collector akımı ve 50W güç yeteneği ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. TO-252 (DPAK) paketine sahip olması, yüzey montajı (SMD) uygulamalarına uygunluğunu sağlamaktadır. 21nC gate yükü ve 5ns/53ns açılma/kapanma süreleri ile hızlı anahtarlama işlemi gerçekleştirebilir. 24A pulse collector akımı geçici yüksek akım koşullarını tolere edebilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, ışık denetimi ve endüstriyel kontrol uygulamalarında kullanım alanı bulunmaktadır. Not: Bu ürün üretim dışı (obsolete) statüdedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
24 A
Gate Charge
21 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
50 W
Reverse Recovery Time (trr)
95 ns
Supplier Device Package
DPAK
Switching Energy
33µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
5ns/53ns
Test Condition
480V, 3A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V