Görsel mevcut değil
STGD3NB60FT4
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- IGBT 600V 6A 60W DPAK
STGD3NB60FT4 Hakkında
STGD3NB60FT4, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 6A devamlı akım ve 24A pulse akımı destekler. 60W güç kapasitesiyle orta seviye güç uygulamalarında kullanılır. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 3A akımda 2.4V'tur. 16nC gate charge ve 12.5ns/105ns on/off gecikme süreleriyle hızlı anahtarlama özelliği gösterir. 45ns reverse recovery time ile verimli komütasyon sağlar. Endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. Maksimum junction sıcaklığı 150°C'dir. Bileşen üretim sonlandırılmıştır (Obsolete).
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
24 A
Gate Charge
16 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
60 W
Reverse Recovery Time (trr)
45 ns
Supplier Device Package
DPAK
Switching Energy
125µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
12.5ns/105ns
Test Condition
480V, 3A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V