Görsel mevcut değil
STGD3HF60HDT4
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- IGBT 600V 7.5A 38W DPAK
STGD3HF60HDT4 Hakkında
STMicroelectronics tarafından üretilen STGD3HF60HDT4, 600V kollektör-emitter gerilimi ile tasarlanmış bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Maksimum 7.5A devamlı kolektör akımı ve 18A pulse akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 38W maksimum güç dağılımı ile anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, inverterler ve AC/DC güç dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. 12nC gate charge değeri hızlı ve etkin anahtarlanmayı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında işletilmesi mümkündür.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
7.5 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
18 A
Gate Charge
12 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
38 W
Reverse Recovery Time (trr)
85 ns
Supplier Device Package
DPAK
Switching Energy
19µJ (on), 12µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
11ns/60ns
Test Condition
400V, 1.5A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.95V @ 15V, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V