Görsel mevcut değil
STGD20N45LZAG
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- POWER TRANSISTORS
STGD20N45LZAG Hakkında
STGD20N45LZAG, STMicroelectronics tarafından üretilen yüksek voltaj IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 450V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 25A sürekli collector akımı kapasitesiyle güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-252 (D-PAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 300V/10A test koşullarında 1.25V Vce(on) değerine sahiptir. 26nC gate charge ve 1.1µs/4.6µs açılma/kapanma zamanlarıyla hızlı anahtarlama özelliği gösterir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 125W maksimum güç dağıtabilir. Motor kontrol, güç kaynakları, inverter devreler ve diğer PWM anahtarlamalı uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
25 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
50 A
Gate Charge
26 nC
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
125 W
Supplier Device Package
D-PAK (TO-252)
Td (on/off) @ 25°C
1.1µs/4.6µs
Test Condition
300V, 10A, 1kOhm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.25V @ 4V, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
450 V