Görsel mevcut değil
STGD19N40LZ
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- IGBT 20V 40A DPAK
STGD19N40LZ Hakkında
STGD19N40LZ, STMicroelectronics tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 390V collector-emitter breakdown voltajı ve 40A pulse akım kapasitesi ile orta-yüksek güç uygulamaları için tasarlanmıştır. Maksimum 25A sürekli collector akımı ve 125W güç disipasyonuna sahiptir. Logic giriş tipi ile TTL/CMOS seviyeleri uyumlu çalışmaktadır. TO-252 (DPAK) yüzey monte paketi sayesinde yoğun PCB tasarımlarına uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama hızı 650ns açılış ve 13.5µs kapanış zamanıdır. DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri, güç kaynakları ve UPS sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
25 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
40 A
Gate Charge
17 nC
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
125 W
Supplier Device Package
DPAK
Td (on/off) @ 25°C
650ns/13.5µs
Test Condition
300V, 10A, 1kOhm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.5V @ 4.5V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
390 V