Görsel mevcut değil
STGD18N40LZT4
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- IGBT 420V 25A 125W DPAK
STGD18N40LZT4 Hakkında
STGD18N40LZT4, STMicroelectronics tarafından üretilen 420V breakdown voltajına sahip bir IGBT transistörüdür. 25A sürekli collector akımı ve 40A pulse akımı ile çalışabilen bu komponent, maksimum 125W güç tüketimi için tasarlanmıştır. TO-252 DPak paketinde sunulan transistör, anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 4.5V gate voltajında 10A akım tarafından sürüldüğünde Vce(on) değeri 1.7V'tur. Hızlı anahtarlama karakteristiği ile 650ns açılış ve 13.5µs kapanış sürelerine sahiptir. -55°C ile +175°C arasında çalışan bu IGBT, yüksek entegrasyon ve kompakt tasarım gerektiren uygulamalar için uygun bir seçenektir.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
25 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
40 A
Gate Charge
29 nC
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
125 W
Supplier Device Package
DPAK
Td (on/off) @ 25°C
650ns/13.5µs
Test Condition
300V, 10A, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.7V @ 4.5V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
420 V