Görsel mevcut değil
STGD18N40LZ-1
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- IPAK
- Açıklama
- IGBT 420V 25A 125W IPAK
STGD18N40LZ-1 Hakkında
STGD18N40LZ-1, STMicroelectronics tarafından üretilen 420V derecelendirilmiş IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 25A sürekli collector akımı ve 40A darbe akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 125W maksimum dissipasyon gücüne sahip bu bileşen, TO-251 (IPak) paketinde sunulmaktadır. Gate charge değeri 29nC olup, on/off geçiş süreleri sırasıyla 650ns ve 13.5µs'dir. -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Vce(sat) değeri 4.5V gate voltajında 10A collector akımında 1.7V'tur. Bu transistör güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları, invrtör devreleri ve anahtarlama modunda çalışan DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
25 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
40 A
Gate Charge
29 nC
Input Type
Logic
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
125 W
Supplier Device Package
I-PAK
Td (on/off) @ 25°C
650ns/13.5µs
Test Condition
300V, 10A, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.7V @ 4.5V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
420 V