Görsel mevcut değil
STGD10NC60SDT4
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- IGBT 600V 18A 60W DPAK
STGD10NC60SDT4 Hakkında
STMicroelectronics tarafından üretilen STGD10NC60SDT4, 600V kolektör-emiter gerilimi ve 18A maksimum kolektör akımı ile çalışan bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-252-3 DPak yüzey montajı paketi ile sunulan bu bileşen, maksimum 60W güç tüketimine sahiptir. 15V kapı geriliminde 5A akım koşulunda kolektör-emiter on voltajı 1.65V'dir. Switching enerji değerleri; açılış için 60µJ, kapanış için 340µJ'dur. Reverse recovery zamanı 22ns olup, açılış ve kapanış gecikmesi sırasıyla 19ns ve 160ns'dir. 18nC gate charge ile kontrol edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu IGBT, güç elektronikleri uygulamalarında, motor sürücülerinde, invörtörlerde ve anahtarlama güç kaynakları tasarımlarında kullanılır. Ürün obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
18 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
25 A
Gate Charge
18 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
60 W
Reverse Recovery Time (trr)
22 ns
Supplier Device Package
DPAK
Switching Energy
60µJ (on), 340µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
19ns/160ns
Test Condition
390V, 5A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.65V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V