Görsel mevcut değil
STGD10HF60KD
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- IGBT 600V 10A DPAK
STGD10HF60KD Hakkında
STMicroelectronics tarafından üretilen STGD10HF60KD, 600V kolektör-emiter breakdown voltajına sahip tekil IGBT transistördür. TO-252-3 (DPak) yüzey monte pakette sunulan bu bileşen, 10A nominal ve 18A maksimum kolektör akımı kapasitesine sahiptir. 15V gate voltajında 2.75V Vce(on) düşüşü ile yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Düşük gate charge (23 nC) ve kısa geçiş süreleri (on: 9.5ns, off: 87ns) sayesinde endüstriyel sürücü devrelerinde, DC/DC konvertörlerinde, motor kontrol uygulamalarında ve AC/DC güç kaynakları tasarımında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kararlı performans sunar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
18 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
30 A
Gate Charge
23 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
62.5 W
Reverse Recovery Time (trr)
50 ns
Supplier Device Package
DPAK
Switching Energy
45µJ (on), 105µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
9.5ns/87ns
Test Condition
400V, 5A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.75V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V