Görsel mevcut değil
STGB7NC60HDT4
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IGBT 600V 25A 80W D2PAK
STGB7NC60HDT4 Hakkında
STGB7NC60HDT4, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bileşenidir. 25A sürekli kolektör akımı ve 50A pals akımı kapasitesine sahip olan bu transistör, D2PAK yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum 80W güç yönetebilen ve -55°C ile 150°C arasında çalışabilen STGB7NC60HDT4, anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, güç kaynakları ve inverter tasarımlarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 35nC gate charge ve 18.5ns on-time ile hızlı anahtarlama performansı sağlayan bu bileşen, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygun bir seçimdir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
25 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
50 A
Gate Charge
35 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
80 W
Reverse Recovery Time (trr)
37 ns
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
95µJ (on), 115µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
18.5ns/72ns
Test Condition
390V, 7A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 7A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V