Görsel mevcut değil
STGB7NB60KDT4
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IGBT 600V 14A 80W D2PAK
STGB7NB60KDT4 Hakkında
STGB7NB60KDT4, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) olup, maksimum 14A collector akımı ile 80W güç yönetebilir. D2PAK (TO-263-3) yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, 2.8V Vce(on) değeri ve 15ns/50ns açılma/kapanma süresi ile enerji dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Pulse akımı 56A'e ulaşan ve 50ns ters toparlanma süresi ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Endüstriyel inverter, motor kontrol, güç kaynakları ve anahtarlamalı güç elektronik devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 150°C çalışma sıcaklığında güvenli çalışma sağlar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
14 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
56 A
Gate Charge
32.7 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
80 W
Reverse Recovery Time (trr)
50 ns
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
140µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
15ns/50ns
Test Condition
480V, 7A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 7A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V