Görsel mevcut değil
STGB5H60DF
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
STGB5H60DF Hakkında
STGB5H60DF, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V Trench Gate Field-Stop IGBT transistördür. Maksimum 10A kolektör akımı ve 88W güç dağıtımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve fotovoltaik sistem invertörleri gibi alanlarda kullanılır. 43nC gate charge ile hızlı anahtarlamaya imkan tanır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Vce(on) değeri 1.95V olup, enerji verimliliği gerektiren uygulamalarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
20 A
Gate Charge
43 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
88 W
Reverse Recovery Time (trr)
134.5 ns
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Switching Energy
56µJ (on), 78.5µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
30ns/140ns
Test Condition
400V, 5A, 47Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.95V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V