Görsel mevcut değil
STGB4M65DF2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
STGB4M65DF2 Hakkında
STGB4M65DF2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V/8A rated Trench Gate Field-Stop IGBT transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketinde sunulan bu bileşen, düşük anahtarlama enerjisi ve hızlı reverse recovery time özelliği ile anahtarlı güç kaynakları (SMPS), motor kontrol uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 15.2nC gate charge değeri ile hızlı açılıp kapanabilir ve maksimum 68W güç yayabilir. Vce(on) 2.1V ile ön iletim düşük gerilimli ve verimli çalışma sağlar. -55°C ile +175°C arasında güvenli çalışan bu transistör, endüstriyel ve ticari uygulamalar için uygun bir seçenektir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
16 A
Gate Charge
15.2 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
68 W
Reverse Recovery Time (trr)
133 ns
Supplier Device Package
D²PAK
Switching Energy
40µJ (on), 136µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
12ns/86ns
Test Condition
400V, 4A, 47Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V