Görsel mevcut değil
STGB40H65FB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IGBT BIPO 650V 40A D2PAK
STGB40H65FB Hakkında
STGB40H65FB, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V/40A kapasiteli Trench Field Stop IGBT transistörüdür. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 2V tipik Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahip olup, hızlı anahtarlama özellikleri (40ns açılış, 142ns kapanış) ve 210nC kapı yükü sayesinde verimli güç dönüştürme sistemlerinde performans sunar. Maksimum 283W güç yönetimi kapasitesi ve -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve ticari uygulamalarda, özel olarak SMPS, motor sürücüleri ve AC/DC dönüştürücülerde tercih edilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
210 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
283 W
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Switching Energy
498µJ (on), 363µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
40ns/142ns
Test Condition
400V, 40A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V