Görsel mevcut değil
STGB3NC120HDT4
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IGBT 1200V 14A 75W D2PAK
STGB3NC120HDT4 Hakkında
STMicroelectronics tarafından üretilen STGB3NC120HDT4, 1200V Collector-Emitter breakdown voltajına sahip bir tekil IGBT transistörüdür. 14A sürekli kollektör akımı ve 20A nabız akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 75W maksimum güç dağıtımı ile endüstriyel sürücüler, motor kontrolü, güç dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 24nC gate charge ve 51ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 2.8V (15V, 3A koşullarında) düşük açık durumu voltajı ile enerji verimliliği sunar.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
14 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
20 A
Gate Charge
24 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
75 W
Reverse Recovery Time (trr)
51 ns
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Switching Energy
236µJ (on), 290µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
15ns/118ns
Test Condition
800V, 3A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V