Görsel mevcut değil
STGB3NB60KDT4
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IGBT 600V 10A 50W D2PAK
STGB3NB60KDT4 Hakkında
STMicroelectronics tarafından üretilen STGB3NB60KDT4, 600V derecelendirilmiş bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 10A collector akımı ve 50W güç kapasitesiyle tasarlanmıştır. 14 nC gate charge ve 45 ns reverse recovery time özellikleriyle anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 150°C işletme sıcaklığında çalışabilir. Pulse koşullarında 24A akımı tolere edebilen bu transistör, DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmıştır. Ürün şu anda üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
24 A
Gate Charge
14 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
50 W
Reverse Recovery Time (trr)
45 ns
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
30µJ (on), 58µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
14ns/33ns
Test Condition
480V, 3A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V