Görsel mevcut değil
STGB3NB60FDT4
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IGBT 600V 6A 68W D2PAK
STGB3NB60FDT4 Hakkında
STGB3NB60FDT4, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) bileşenidir. Surface Mount D2PAK (TO-263-3) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 6A collector akımı ve 68W güç dağıtım kapasitesi ile çalışır. 15ns açılma ve 105ns kapanma süresi ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Vce(on) maksimum değeri 15V gate geriliminde 3A akımda 2.4V'tur. 45ns reverse recovery time ve 16nC gate charge değerleri ile düşük anahtarlama kaybı sağlar. DC-DC konvertörler, motor kontrol uygulamaları, güç kaynakları ve inverter devrelerinde kullanılmaktadır. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir. Not: Ürün obsolete durumdadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
24 A
Gate Charge
16 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
68 W
Reverse Recovery Time (trr)
45 ns
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
125µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
12.5ns/105ns
Test Condition
480V, 3A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V