Görsel mevcut değil
STGB30V60F
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, V S
STGB30V60F Hakkında
STGB30V60F, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V Trench Gate Field-Stop IGBT transistördür. Maksimum 60A sürekli collector akımı ve 120A pulse akımı ile çalışır. TO-263-3 (D²PAK) yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında kullanılabilir. 2.3V Vce(on) değeri ile düşük konuksyon kayıpları sağlar. 163nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Switching energy değerleri 383µJ (on) ve 233µJ (off) olarak belirtilmiştir. 260W maksimum güç yönetimi kapasitesiyle motor kontrol, güç kaynakları, şarj cihazları ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
163 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
260 W
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Switching Energy
383µJ (on), 233µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
45ns/189ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V