Görsel mevcut değil
STGB30M65DF2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IGBT 650V 30A D2PAK
STGB30M65DF2 Hakkında
STGB30M65DF2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V/30A kapasiteli yüksek hızlı IGBT transistördür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanmış bu bileşen, düşük anahtarlama kaybı ve hızlı dV/dt performansı sunmaktadır. D²PAK (TO-263) paketinde sunulan transistör, maksimum 60A sürekli akım ve 120A darbeli akım taşıyabilir. 2V on-state voltajı ve 300µJ açılış/960µJ kapanış enerji değerleriyle endüstriyel uygulamalarda tercih edilmektedir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, enerji dönüştürücüleri ve çevirici devrelerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
80 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
258 W
Reverse Recovery Time (trr)
140 ns
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Switching Energy
300µJ (on), 960µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
31.6ns/115ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V