Görsel mevcut değil
STGB30H65FB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IGBT
STGB30H65FB Hakkında
STGB30H65FB, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. Maksimum 60A collector akımı ve 120A pulsed akımı ile tasarlanmıştır. TO-263 (D²Pak) kasa içinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 149nC gate charge değeri ile hızlı komütasyon sağlar. Maksimum 260W güç tüketimi kapasitesiyle güç dönüştürme, motor sürücüleri, UPS sistemleri ve endüstriyel uygulamalarda yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. 2V Vce(on) değeri ile düşük konduktif kayıplar elde edilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
149 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
260 W
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Switching Energy
151µJ (on), 293µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
37ns/146ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V