Görsel mevcut değil
STGB30H65DFB2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30
STGB30H65DFB2 Hakkında
STGB30H65DFB2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V, 30A kapasiteli bir Trench Gate Field-Stop IGBT transistördür. TO-263-4 (D²Pak) kasa tipiyle sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 50A maksimum kollektör akımı ve 90A palsed kapasitesi ile güç dönüştürücüleri, endüstriyel sürücüler, klima sistemleri ve kaynak makineleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 2.1V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlayan transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 270µJ açılış ve 310µJ kapanış enerjisi ile verimli anahtarlama performansı sunar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Gate Charge
90 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Part Status
Active
Power - Max
167 W
Reverse Recovery Time (trr)
115 ns
Supplier Device Package
D2PAK-3
Switching Energy
270µJ (on), 310µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
18.4ns/71ns
Test Condition
400V, 30A, 6.8Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V