Görsel mevcut değil
STGB30H60DLFB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
STGB30H60DLFB Hakkında
STMicroelectronics tarafından üretilen STGB30H60DLFB, Trench Gate Field-Stop IGBT teknolojisine sahip bir tekil transistördür. 600V maksimum Collector-Emitter gerilimi ve 60A sürekli akım kapasitesiyle, endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüler, UPS sistemleri ve inverterler gibi uygulamalarda yer alır. 2V Vce(on) değeri düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir, maksimum 260W güç yayımı kapasitesine sahiptir. Gate charge 149nC olup, hızlı anahtarlama özelliği gösterir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
149 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
260 W
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Switching Energy
393µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
-/146ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V