Görsel mevcut değil
STGB30H60DFB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
STGB30H60DFB Hakkında
STGB30H60DFB, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V Trench Gate Field-Stop IGBT transistördür. 60A nominal ve 120A pulslu kollektör akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 260W maksimum güç dağıtımı için tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 53ns ters geri dönüş süresi ve 149nC gate yükü sayesinde hızlı anahtarlama performansı sağlar. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 30A akımda 2V'dir. Bu IGBT, güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları, invörter devreleri ve saldırılan yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
149 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
260 W
Reverse Recovery Time (trr)
53 ns
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Switching Energy
383µJ (on), 293µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
37ns/146ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V