Görsel mevcut değil
STGB30H60DF
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IGBT 600V 60A 260W D2PAK
STGB30H60DF Hakkında
STGB30H60DF, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V/60A kapasiteli bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Trench Field Stop teknolojisine dayalı bu komponent, D²PAK (TO-263) yüzeye monte paketinde sunulmaktadır. 260W maksimum güç dağıtma kapasitesiyle endüstriyel uygulamalarda, anahtarlama güç dönüştürücülerinde, motor kontrol devrelerinde ve UPS sistemlerinde kullanılır. 110ns düşük reverse recovery süresi ve optimize edilmiş switching enerjisi sayesinde verimli çalışma sağlar. -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Çalışma sıcaklığında 2.4V düşük VCE(on) değeri ısıl kayıpları minimize eder.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
105 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
260 W
Reverse Recovery Time (trr)
110 ns
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
350µJ (on), 400µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
50ns/160ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V