Görsel mevcut değil
STGB20NB37LZ
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IGBT 425V 40A 200W D2PAK
- Aile / Seri
- STGB20NB37LZ
STGB20NB37LZ Hakkında
STGB20NB37LZ, STMicroelectronics tarafından üretilen 425V rated IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 40A sürekli kolektör akımı ve 80A darbe akımı kapasitesi ile yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 200W maksimum güç disipasyonuna sahiptir. 51 nC gate charge ve 2.3µs/2µs hızlı anahtarlama zamanı ile endüstriyel güç elektronikleri, inverterler, UPS sistemleri ve motor sürücü uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Not: Bu ürün obsolete (üretimden kaldırılmış) durumdadır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
80 A
Gate Charge
51 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
200 W
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
11.8mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
2.3µs/2µs
Test Condition
250V, 20A, 1kOhm, 4.5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 4.5V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
425 V
İlgili Ürünler
