Görsel mevcut değil
STGB20NB37LZ
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IGBT 425V 40A 200W D2PAK
STGB20NB37LZ Hakkında
STGB20NB37LZ, STMicroelectronics tarafından üretilen 425V rated IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 40A sürekli kolektör akımı ve 80A darbe akımı kapasitesi ile yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 200W maksimum güç disipasyonuna sahiptir. 51 nC gate charge ve 2.3µs/2µs hızlı anahtarlama zamanı ile endüstriyel güç elektronikleri, inverterler, UPS sistemleri ve motor sürücü uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Not: Bu ürün obsolete (üretimden kaldırılmış) durumdadır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
80 A
Gate Charge
51 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
200 W
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
11.8mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
2.3µs/2µs
Test Condition
250V, 20A, 1kOhm, 4.5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 4.5V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
425 V