Görsel mevcut değil
STGB20NB32LZ
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IGBT 375V 40A 150W I2PAK
STGB20NB32LZ Hakkında
STGB20NB32LZ, STMicroelectronics tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) bileşenidir. 375V kesici gerilim ile 40A kolektör akımı kapasitesine sahip olup, maksimum 150W güç dağıtabilir. D²Pak (TO-263) paketinde sunulan bu transistör, 51nC gate charge ve 2V Vce(on) değerleriyle düşük iletim kayıpları sağlar. Anahtarlama hızı 2.3µs açılış ve 11.5µs kapanış süreleriyle karakterize edilmiştir. -40°C ile +175°C arasında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel sürücü, motor kontrol, güç yönetimi ve anahtarlamalı güç kaynakları uygulamalarında kullanılır. Darbe akımı 80A'ya kadar çıkabilen STGB20NB32LZ, yüksek voltaj ve akım işleyen sistemlerde etkin bir anahtarlama çözümü sunar.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
80 A
Gate Charge
51 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
150 W
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
11.8mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
2.3µs/11.5µs
Test Condition
250V, 20A, 1kOhm, 4.5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 4.5V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
375 V