Görsel mevcut değil
STGB20H65DFB2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
STGB20H65DFB2 Hakkında
STGB20H65DFB2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Gate Field-Stop teknolojisine sahip bir IGBT transistördür. Maksimum 40A sürekli kolektör akımı ve 60A pulse akımı ile çalışabilen bu komponent, güç dönüştürme uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, güç kaynakları ve inverter tasarımlarında kullanılır. TO-263-4 (D²Pak) paket türü ile SMD montaj imkanı sunar. 2.1V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlarken, 56nC gate charge değeri sürü hızlı ve verimli anahtarlama performansı garantiler. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil çalışma özellikleri gösterir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Gate Charge
56 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Part Status
Active
Power - Max
147 W
Reverse Recovery Time (trr)
215 ns
Supplier Device Package
D2PAK-3
Switching Energy
265µJ (on), 214µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
16ns/78.8ns
Test Condition
400V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V