Görsel mevcut değil
STGB18N40LZ-1
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 420V 30A 150W I2PAK
STGB18N40LZ-1 Hakkında
STGB18N40LZ-1, STMicroelectronics tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 420V maksimum collector-emitter gerilimi ile tasarlanan bu bileşen, 30A sürekli akım ve 40A pulse akım kapasitesine sahiptir. 150W maksimum güç derecelendirmesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. I²Pak (TO-262) paketinde sunulan bileşen, motor sürücüler, enerji dönüştürücüler ve güç kaynakları gibi uygulamalarda anahtarlama elemanı olarak görev yapar. 29nC gate charge ve 650ns/13.5µs on/off gecikmesi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
40 A
Gate Charge
29 nC
Input Type
Logic
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
150 W
Supplier Device Package
I2PAK (TO-262)
Td (on/off) @ 25°C
650ns/13.5µs
Test Condition
300V, 10A, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.7V @ 4.5V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
420 V