Görsel mevcut değil
STGB15M65DF2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
STGB15M65DF2 Hakkında
STGB15M65DF2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Gate Field-Stop IGBT transistördür. 30A maksimum collector akımı ve 60A pulse akımı kapasitesine sahiptir. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında düşük gate charge (45nC) ve hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde verimli çalışır. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 136W maksimum güç yayılımı kapasitesine sahiptir. Endüstriyel güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, kaynak makinaları ve UPS sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Gate Charge
45 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
136 W
Reverse Recovery Time (trr)
142 ns
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Switching Energy
90µJ (on), 450µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
24ns/93ns
Test Condition
400V, 15A, 12Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V