Görsel mevcut değil
STGB10NB40LZT4
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IGBT 440V 20A 150W D2PAK
STGB10NB40LZT4 Hakkında
STGB10NB40LZT4, STMicroelectronics tarafından üretilen 440V kolektör-emitter gerilimi ile çalışan bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 20A nominal ve 40A pulslu kolektör akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, maksimum 150W güç dissipasyon sınırında çalışabilir. D2PAK yüzey montaj paketinde sunulan transistör, -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında güvenilir şekilde faaliyet gösterir. 1.3µs açılış ve 8µs kapanış süresi ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Vce(on) değeri 4.5V gate geriliminde 10A akımda 1.8V olarak belirtilmiştir. Bu IGBT, endüstriyel sürücü devreleri, motor kontrol uygulamaları, kaynak makineleri ve güç dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
40 A
Gate Charge
28 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
150 W
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
2.4mJ (on), 5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
1.3µs/8µs
Test Condition
328V, 10A, 1kOhm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 4.5V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
440 V