Görsel mevcut değil
STGB10NB37LZ
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IGBT 440V 20A 125W D2PAK
STGB10NB37LZ Hakkında
STGB10NB37LZ, STMicroelectronics tarafından üretilen 440V kolektör-emitter diyot gerilimi ile 20A maksimum collector akımına sahip bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. D²PAK (TO-263) yüzey montajlı pakete sahip bu komponent, 125W maksimum güç disipasyonu kapasitesine ve -65°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 28nC gate charge ve 1.8V Vce(on) değerleriyle anahtarlama uygulamalarında düşük iletkenim sağlar. Switching energy değerleri (2.4mJ on, 5mJ off) ile 1.3µs/8µs açılma/kapanma zamanlarında hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır. Motor kontrolü, güç kaynakları ve inverter uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Ürün üretimi durdurulmuştur (Obsolete).
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
40 A
Gate Charge
28 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
125 W
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Switching Energy
2.4mJ (on), 5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
1.3µs/8µs
Test Condition
328V, 10A, 1kOhm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 4.5V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
440 V