Görsel mevcut değil
STGB10M65DF2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IGBT 650V 10A D2PAK
STGB10M65DF2 Hakkında
STGB10M65DF2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. D²Pak (TO-263-3) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 10A sabit akım ve 40A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 28nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine ve 115W maksimum güç yönetimi kapasitesine sahiptir. -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu IGBT, invertör, servo sürücüleri, AC/DC konvertörleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar ve 96ns ters derlenme zamanı ile elektromanyetik enterferensi azaltır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
40 A
Gate Charge
28 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
115 W
Reverse Recovery Time (trr)
96 ns
Supplier Device Package
D²PAK (TO-263)
Switching Energy
120µJ (on), 270µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
19ns/91ns
Test Condition
400V, 10A, 22Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V