Görsel mevcut değil
SSTX404STR
- Üretici
- SMC Diode Solutions
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 40V,0.6A, SOT-23 PACKAGE, NPN GE
SSTX404STR Hakkında
SSTX404STR, SMC Diode Solutions tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). 40V maksimum collector-emitter gerilimi ve 600mA collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 350mW maksimum güç derecelendirmesine sahiptir. 100 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 150°C çalışma sıcaklığı ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. Düşük collector cutoff akımı (10nA), geri kalanma gerilimi 1V'da 500mA akımda ölçülen bu transistör, tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol ve sinyal işleme uygulamalarında yer alır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10mV
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
350 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V