Görsel mevcut değil
SSTA06HZGT116
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
SSTA06HZGT116 Hakkında
SSTA06HZGT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, küçük sinyal uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 500mA kolektör akımı ve 100MHz geçiş frekansı kapasitesine sahiptir. 80V maksimum kolektör-emitter gerilimi diyapozon ve 200mW güç yeteneği ile amplifikasyon, anahtarlama ve ses frekansı devrelerinde kullanılabilir. 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar ve düşük kolektör doyum gerilimi (250mV) sayesinde verimli anahtar işlemi sağlar. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol ve sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
200 mW
Supplier Device Package
SST3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V