Görsel mevcut değil
SS9012GTA-ON
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 0.5A, 20V, PNP, TO-92
SS9012GTA-ON Hakkında
SS9012GTA-ON, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup TO-92 paketinde sunulmaktadır. 500 mA maksimum collector akımı ve 20V breakdown voltajı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 625 mW maksimum güç derecelemesi, 112 minimum DC current gain (hFE) ve 600mV saturation voltajı özellikleri ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerine uygundur. Through hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarında yer alır. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sağlar. Endüstriyel kontrol, ses amplifikasyon ve sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
112 @ 50mA, 1V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Part Status
Active
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
20 V