Görsel mevcut değil
SPZT751T1G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- PZT751 - HIGH CURRENT PNP BIPOLA
SPZT751T1G Hakkında
SPZT751T1G, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek akım kapasiteli PNP bipolar transistördür. TO-261-4 (SOT-223) SMD paketinde sunulan bu komponent, maksimum 2A collector akımı ve 800mW güç tüketimine sahiptir. 75MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 60V collector-emitter breakdown voltajı ve 500mV saturation voltajı ile güç amplifikasyon, ses frekansı amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde uygulanır. -150°C işletme sıcaklığında güvenilir çalışma sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
75 @ 1A, 2V
Frequency - Transition
75MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
SOT-223 (TO-261)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V