Görsel mevcut değil
SMBTA56E6327HTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 80V 0.5A SOT-23
SMBTA56E6327HTSA1 Hakkında
SMBTA56E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, maksimum 80V Vce breakdown voltajı ve 500mA kolektör akımı ile çalışabilir. 100MHz transition frequency özelliğine sahip olan bileşen, 330mW güç kapasitesi ile anahtarlama ve küçük sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 150°C maksimum işletme sıcaklığında güvenli bir şekilde çalışır. Düşük leakage akımı (100nA) ve düşük saturation voltajı (250mV) özellikleri sayesinde endüstriyel kontrol devreleri, sensör arayüzleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
330 mW
Supplier Device Package
PG-SOT23
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V