Görsel mevcut değil
SMBTA42E6327HTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 300V 500MA SOT23-3
SMBTA42E6327HTSA1 Hakkında
SMBTA42E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek voltaj NPN BJT transistörüdür. 300V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 500mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 70MHz transition frekansı ve 40 DC current gain değerleri ile bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde uygulanabilir. SOT23-3 (TO-236) yüzeye monte paketinde sunulan komponentin maksimum güç tüketimi 360mW'dir. İş sıcaklığı 150°C'ye kadar desteklenmektedir. Uydu haberleşme, endüstriyel kontrol sistemleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında tercih edilmektedir. Not: Bu bileşen yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition
70MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
360 mW
Supplier Device Package
PG-SOT23
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 2mA, 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
300 V