Görsel mevcut değil
SMBT3906E6327HTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 40V 200MA SOT23-3
SMBT3906E6327HTSA1 Hakkında
SMBT3906E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 40V collector-emitter gerilimi ve 200mA maksimum collector akımı ile çalışabilir. 250MHz geçiş frekansı ve minimum 100 DC akım kazancı (hFE) özellikleriyle, düşük güçlü anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 330mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile ses, radyo ve genel sinyal işleme devrelerinde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir (Part Status: Not For New Designs).
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
200 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition
250MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
330 mW
Supplier Device Package
PG-SOT23
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V