Görsel mevcut değil
SMBT2907AE6327HTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 60V 600MA SOT23-3
SMBT2907AE6327HTSA1 Hakkında
SMBT2907AE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu transistör, 60V Vce(breakdown) ve 600mA maksimum kolektör akımı ile çalışır. 200MHz transition frekansı ile orta frekanslı uygulamalara uygun olup, 330mW maksimum güç tüketimine sahiptir. DC current gain (hFE) en az 100 değerindedir. Anahtarlama devreleri, sinyal amplifikasyonu ve genel amaçlı analog uygulamalarında kullanılan bu bileşen, -40°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında çalışabilir. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir (Not For New Designs).
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
330 mW
Supplier Device Package
PG-SOT23
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V