Görsel mevcut değil
SMBT2222AE6327HTSA1
- Üretici
- Infineon
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23
SMBT2222AE6327HTSA1 Hakkında
SMBT2222AE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount teknolojisi ile SOT-23-3 paketinde sunulmaktadır. Maksimum 40V Vce voltaj desteği ve 600mA kolektör akımı kapasitesi ile genel amaçlı anahtarlama ve düşük sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 300MHz transition frequency ve 100 minimum hFE (150mA, 10V koşullarında) değerleri ile orta frekanslı devrelerde performans gösterir. 330mW maksimum güç dissipasyonu ve 150°C maksimum junktion sıcaklığı ile endüstriyel uygulamalar için tasarlanmıştır. Ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri, darbe şekillendirme ve düşük güçlü RF devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Not For New Designs
Power - Max
330 mW
Supplier Device Package
PG-SOT23
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V